RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3118
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link