RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2353
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link