RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
46
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
21.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3889
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link