RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2296
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link