RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2575
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link