RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3137
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link