RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
46
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3521
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link