RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2955
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link