RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3695
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB Сравнения RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link