RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
46
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
40
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3014
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link