RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3030
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link