RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2601
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston X7C75G-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link