RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2849
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link