RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3009
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link