RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2439
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link