RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2656
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link