RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3312
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link