RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2942
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link