RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2508
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link