RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3281
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link