RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3774
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link