RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3632
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link