RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
46
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3724
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link