RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
22.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3873
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link