RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2598
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link