RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2319
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link