RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2319
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link