RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link