RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2407
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link