RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
122
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
122
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1411
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link