RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против INTENSO 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
INTENSO 4GB

INTENSO 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
INTENSO 4GB Причины выбрать
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 46
    Около -28% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 3200
    Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 9.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2061

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

INTENSO 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
модули RAM