RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9965684-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
69
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
69
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1992
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link