RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3112
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link