RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
47
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
47
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1967
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link