RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2371
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link