RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3628
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link