RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3870
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link