RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 46
    Около -92% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 3200
    Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 2852

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
модули RAM