RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2852
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link