Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.8

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 46

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.4 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 3200

Около 8 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 35
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.8
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 25600

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2852

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM