Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.1

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 46

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 23
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 14.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2388

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB

модули RAM