RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3296
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link