RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2581
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link