RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2199
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link