RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2670
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link