RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2948
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link