RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
46
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3336
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link