RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3666
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link