RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3666
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link