RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2473
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link