RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
1891
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link