RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
77
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.6
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
77
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
1267
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link